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DI065N06PT
MOSFET, N-CH, 65V, 65A, QFN
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
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No. Parte Newark11AN2658
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $0.888 |
| 100+ | $0.714 |
| 500+ | $0.648 |
| 1000+ | $0.583 |
| 2500+ | $0.499 |
| 10000+ | $0.490 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI065N06PTCopiar
No. Parte Newark11AN2658
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds65V
Intensidad Drenador Continua Id65A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.005ohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia39W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
65A
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
39W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
65V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.005ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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