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DI1A5N60D1
MOSFET, N-CH, 600V, 1.5A, TO-252AA
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.722 |
| 10+ | $0.565 |
| 25+ | $0.480 |
| 50+ | $0.410 |
| 100+ | $0.351 |
| 250+ | $0.307 |
| 500+ | $0.259 |
| 1000+ | $0.227 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDI1A5N60D1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark27AM3429
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8ohm
Diseño de TransistorTO-252AA (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia25W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Diseño de Transistor
TO-252AA (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
25W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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