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DI200N04PQ
MOSFET, N-CH, 40V, 200A, QFN
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FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI200N04PQCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark11AN2661
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 11 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.890 |
| 10+ | $2.530 |
| 100+ | $2.110 |
| 500+ | $1.980 |
| 1000+ | $1.820 |
| 2500+ | $1.560 |
| 5000+ | $1.530 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.89
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Información del producto
FabricanteDIOTEC SEMICONDUCTOR
No. Parte FabricanteDI200N04PQCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark11AN2661
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id200A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0013ohm
Diseño de TransistorQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia180W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
200A
Diseño de Transistor
QFN
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
180W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0013ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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