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DI5A7N65D1K
MOSFET, N-CH, 650V, 5.7A, TO-252AA
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FabricanteDIOTEC
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.020 |
| 10+ | $2.890 |
| 25+ | $2.700 |
| 50+ | $2.480 |
| 100+ | $2.250 |
| 250+ | $2.010 |
| 500+ | $1.780 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
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Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark49AM2806
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Intensidad Drenador Continua Id5.7A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.43ohm
Diseño de TransistorTO-252AA (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia36W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.7A
Diseño de Transistor
TO-252AA (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
36W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.43ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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