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DIF065SIC020
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 150 A, 650 V, 0.02 ohm, TO-247
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FabricanteDIOTEC
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No. Parte Newark16AM8148
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $46.150 |
| 5+ | $43.010 |
| 10+ | $39.880 |
| 25+ | $36.740 |
| 50+ | $33.600 |
| 100+ | $32.620 |
| 250+ | $31.620 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
No. Parte FabricanteDIF065SIC020Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante11 semanas
No. Parte Newark16AM8148
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id150
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia550
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
150
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
550
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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