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DIW120SIC023-AQ
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 125 A, 1.2 kV, 23 mohm, TO-247
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FabricanteDIOTEC
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $63.710 |
| 5+ | $59.590 |
| 10+ | $55.580 |
| 25+ | $51.660 |
| 50+ | $47.700 |
| 100+ | $45.800 |
| 250+ | $43.580 |
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Información del producto
FabricanteDIOTEC
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Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark16AM8165
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id125
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente23
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia600
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
125
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
23
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
600
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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