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GA04JT17-247
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, 10 µA, TO-247AB, 3 Pines, 175 °C
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Información del producto
FabricanteGENESIC
No. Parte FabricanteGA04JT17-247
No. Parte Newark46W2772
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Ruptura Vbr-
Configuración IGBTSencillo
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero10
Corriente del Colector Continua100
Corriente de Colector DC100A
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula0.2µA
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)1.2kV
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.2
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-
Disipación de Potencia Pd-
Disipación de Potencia-
Diseño de TransistorSOT-227
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo-
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Tipo de TransistorJFET
Temperatura de Trabajo Máx.175
Tipo de CanalCanal N
Terminación del IGBTPerno
No. de Pines3 Pines
No. de Pines4Pines
Tecnología IGBTNPT IGBT [estándar]
Montaje de TransistorPanel
Voltaje Máx. Colector a Emisor-
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Configuración IGBT
Sencillo
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
10
Corriente de Colector DC
100A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
1.2kV
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-
Disipación de Potencia
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
-
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
No. de Pines
3 Pines
Tecnología IGBT
NPT IGBT [estándar]
Voltaje Máx. Colector a Emisor
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Voltaje de Ruptura Vbr
-
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-
Corriente del Colector Continua
100
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
0.2µA
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.2
Disipación de Potencia Pd
-
Diseño de Transistor
SOT-227
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Terminación del IGBT
Perno
No. de Pines
4Pines
Montaje de Transistor
Panel
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto