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AIMBG75R040M1HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 47 A, 750 V, 0.052 ohm, TO-263 (D2PAK)
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMBG75R040M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)83AK8082RL
Cinta adhesiva83AK8082
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 52 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $10.620 | $10.62 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $10.62 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $10.620 |
| 50+ | $7.320 |
| 100+ | $6.030 |
| 250+ | $6.020 |
| 500+ | $6.010 |
| 1000+ | $5.620 |
| 2500+ | $5.500 |
| 5000+ | $5.400 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMBG75R040M1HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)83AK8082RL
Cinta adhesiva83AK8082
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id47
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.052
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia211
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen I Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
47
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.052
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
211
Rango de Producto
CoolSiC Gen I Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto