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AIMZHN120R010M1TXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 202 A, 1.2 kV, 0.0113 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMZHN120R010M1TXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark87AK1284
Rango de ProductoCoolSiC Series
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272 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $47.010 |
| 5+ | $44.970 |
| 10+ | $42.910 |
| 25+ | $40.510 |
| 50+ | $38.110 |
| 100+ | $35.710 |
| 250+ | $35.000 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMZHN120R010M1TXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark87AK1284
Rango de ProductoCoolSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id202
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0113
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1
Disipación de Potencia750
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
202
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0113
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
750
Rango de Producto
CoolSiC Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto