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AIMZHN120R020M1TXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 100 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMZHN120R020M1TXKSA1
No. Parte Newark87AK1285
Rango de ProductoCoolSiC Series
450 En Stock
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330 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $33.030 |
| 5+ | $30.450 |
| 10+ | $27.860 |
| 25+ | $27.430 |
| 50+ | $27.020 |
| 100+ | $26.590 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$33.03
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAIMZHN120R020M1TXKSA1
No. Parte Newark87AK1285
Rango de ProductoCoolSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id100A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1V
Disipación de Potencia429W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025ohm
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
429W
Rango de Producto
CoolSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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