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AMM12S54LB1ZXKMA1
SIC MOSFET, SIX N-CH, 1.2KV, 33A, DIP-32
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FabricanteINFINEON
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Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark12AN7545
Rango de ProductoCIPOS Prime Series
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176 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $34.640 |
| 5+ | $31.340 |
| 10+ | $28.050 |
| 25+ | $26.400 |
| 50+ | $25.860 |
| 100+ | $25.310 |
| 250+ | $23.890 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$34.64
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAMM12S54LB1ZXKMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante28 semanas
No. Parte Newark12AN7545
Rango de ProductoCIPOS Prime Series
Configuración de Módulo MOSFETSixPack
Tipo de CanalSix N Channel
Intensidad Drenador Continua Id33A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0761ohm
Diseño de TransistorDIP
No. de Pines32Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1V
Disipación de Potencia142W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCIPOS Prime Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
SixPack
Intensidad Drenador Continua Id
33A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0761ohm
No. de Pines
32Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
Six N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
DIP
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
142W
Rango de Producto
CIPOS Prime Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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