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AUIRF2804STRL
MOSFET, CANAL N, 40V, 270A, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF2804STRLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark86AK4260
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 800+ | $2.790 |
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Mínimo: 800
Múltiple: 800
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteAUIRF2804STRLCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante9 semanas
No. Parte Newark86AK4260
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id195A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2000µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia300W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
195A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
300W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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