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BSC014N06NSATMA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 100 A, 0.00145 ohm, TDSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC014N06NSATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4421
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7993
Cinta adhesiva47Y7993
También conocido comoBSC014N06NS, SP000924886
Su número de pieza
19,249 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $5.650 | $28.25 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $28.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $5.650 |
| 10+ | $3.720 |
| 25+ | $3.360 |
| 50+ | $3.000 |
| 100+ | $2.640 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $2.260 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSC014N06NSATMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4421
Re-reeling (Rollos a medida)47Y7993
Cinta adhesiva47Y7993
También conocido comoBSC014N06NS, SP000924886
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0012ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00145
Diseño de TransistorTDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd156W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia156W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
BSC014N06NSATMA1 is a 60V N-channel OptiMOS power-transistor optimized for high performance SMPS.
- Superior thermal resistance
- Maximum RDS(on) is 1.45mohm
- Qualified according to JEDEC for target applications
- 100% avalanche tested
- Higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0012ohm
Diseño de Transistor
TDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00145
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
156W
Disipación de Potencia
156W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSC014N06NSATMA1
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto