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BSO220N03MDGXUMA1
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.0183 ohm
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSO220N03MDGXUMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4497
Re-reeling (Rollos a medida)79X1339
Cinta adhesiva79X1339
También conocido comoBSO220N03MD G, SP000447478
Su número de pieza
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.090 | $5.45 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $5.45 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.090 |
| 10+ | $0.713 |
| 25+ | $0.647 |
| 50+ | $0.582 |
| 100+ | $0.517 |
| 250+ | $0.464 |
| 500+ | $0.410 |
| 1000+ | $0.371 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 2500+ | $0.313 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSO220N03MDGXUMA1
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4497
Re-reeling (Rollos a medida)79X1339
Cinta adhesiva79X1339
También conocido comoBSO220N03MD G, SP000447478
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N6A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0183ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0183ohm
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.4W
Disipación de Potencia de Canal P1.4W
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSO220N03MD G es un MOSFET de canal N dual optimizado para aplicaciones de controladores de 5V (portátiles, VGA y POL) y calificado para aplicaciones de nivel de consumidor. La compuerta y la carga de salida ultrabajas, junto con la resistencia de estado ON más baja en paquetes de tamaño reducido, hacen que los MOSFET de potencia OptiMOS™ sean la mejor opción para los exigentes requisitos de las soluciones de reguladores de voltaje en aplicaciones de servidor, comunicación de datos y telecomunicaciones.
- FOMSW bajo para SMPS de alta frecuencia
- 100% prueba de avalancha
- Muy baja resistencia ON
- Carga de puerta excelente
- Libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
6A
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0183ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.4W
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
6A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0183ohm
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.4W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSO220N03MDGXUMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto