Imprimir página
BSZ067N06LS3GATMA1
MOSFET, N CHANNEL, 60V, 20A, 8TSDSON
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ067N06LS3GATMA1
No. Parte Newark47W3361
También conocido comoBSZ067N06LS3 G, SP000451080
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
4,514 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.810 |
| 10+ | $1.250 |
| 100+ | $0.891 |
| 500+ | $0.712 |
| 1000+ | $0.661 |
| 2500+ | $0.660 |
| 10000+ | $0.548 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.81
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteBSZ067N06LS3GATMA1
No. Parte Newark47W3361
También conocido comoBSZ067N06LS3 G, SP000451080
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0067
Resistencia de Activación Rds(on)0.005ohm
Diseño de TransistorPG-TSDSON
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd69W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia69
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSZ067N06LS3 G es un MOSFET de potencia de canal N OptiMOS™, la elección perfecta para la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Se puede utilizar para una amplia gama de aplicaciones industriales, incluido el microinversor solar y el convertidor CD a CD de conmutación rápida.
- Excelente carga de puerta x producto RDS (ON) (FOM)
- RDS de muy baja resistencia a la conexión (ON)
- Ideal para aplicaciones de conmutación rápida
- Clasificación MSL1
- Mayor eficiencia del sistema
- Aumento de la densidad de potencia
- Sobreimpulso de muy bajo voltaje
- Tecnología optimizada para convertidores de CD a CD
- Nivel normal
- 100% prueba de avalancha
- Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino
- Producto verde, libre de halógenos
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0067
Diseño de Transistor
PG-TSDSON
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.005ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
69W
Disipación de Potencia
69
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSZ067N06LS3GATMA1
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto