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DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Elevador, Canal N, 60 A, 2 kV, 0.0265 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteDF419MR20W3M1HFB11BPSA1
No. Parte Newark62AK3727
Rango de ProductoEasyPACK CoolsiC Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteDF419MR20W3M1HFB11BPSA1
No. Parte Newark62AK3727
Rango de ProductoEasyPACK CoolsiC Series
Configuración de Módulo MOSFETElevador
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0172ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines40Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.15V
Disipación de Potencia20mW
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoEasyPACK CoolsiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Elevador
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0172ohm
No. de Pines
40Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.15V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
20mW
Rango de Producto
EasyPACK CoolsiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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