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FF33MR12W1M1HB11BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Doble Canal N, 25 A, 1.2 kV, 0.0323 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF33MR12W1M1HB11BPSA1
No. Parte Newark78AK5646
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF33MR12W1M1HB11BPSA1
No. Parte Newark78AK5646
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalDual N Channel
Intensidad Drenador Continua Id25A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0323ohm
Diseño de TransistorModule
No. de Pines10Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.15V
Disipación de Potencia20mW
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Trench Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
25A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0323ohm
No. de Pines
10Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.15V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
20mW
Rango de Producto
CoolSiC Trench Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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