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FF4MR12W2M1HB11BPSA1
MOSFET de carburo de silicio, Medio Puente, Canal N, 170 A, 1.2 kV, 0.004 ohm, Module
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF4MR12W2M1HB11BPSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark86AK4998
Rango de ProductoEasyDUAL 2B CoolSiC Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $194.600 |
| 5+ | $190.710 |
| 10+ | $186.820 |
| 25+ | $182.920 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF4MR12W2M1HB11BPSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante18 semanas
No. Parte Newark86AK4998
Rango de ProductoEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Configuración de Módulo MOSFETHalf Bridge
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id170
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.004
Diseño de TransistorModule
No. de Pines36Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.15
Disipación de Potencia20
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoEasyDUAL 2B CoolSiC Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Half Bridge
Intensidad Drenador Continua Id
170
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.004
No. de Pines
36Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.15
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
Module
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
20
Rango de Producto
EasyDUAL 2B CoolSiC Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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