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FF50R12RT4HOSA1
IGBT, MODULE, N-CH, 1.2KV, 50A
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FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark13AC8660
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Información del producto
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No. Parte Newark13AC8660
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDual [Half Bridge]
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua50A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.85V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)0
Disipación de Potencia285W
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Temperatura de Union, Tj Máx.0
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTStud
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Tecnología IGBTIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual [Half Bridge]
Corriente del Colector Continua
50A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
0
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Union, Tj Máx.
0
Terminación del IGBT
Stud
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Corriente de Colector DC
0
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.85V
Disipación de Potencia
285W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Tecnología IGBT
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto