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FF800R12KE7EHPSA1
IGBT MODULE, 1.2KV, 800A ROHS COMPLIANT: YES
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFF800R12KE7EHPSA1
No. Parte Newark79AK2147
Configuración IGBTDual [Half Bridge]
Corriente del Colector Continua800A
Voltaje de Saturación Colector Emisor1.75V
Disipación de Potencia-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTScrew
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBTIGBT 7
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Dual [Half Bridge]
Voltaje de Saturación Colector Emisor
1.75V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Terminación del IGBT
Screw
Tecnología IGBT
IGBT 7
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
800A
Disipación de Potencia
-
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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