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FP35R12W2T4
Módulo IGBT, PIM, 35 A, 2.25 V, 215 W, 150 °C, Module
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteFP35R12W2T4Copiar
No. Parte Newark84R7210
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTPIM
Corriente del Colector Continua35
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.25
Disipación de Potencia215
Temperatura de Trabajo Máx.150
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTEncaje a Presión
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2
Tecnología IGBTIGBT 4
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
PIM
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Terminación del IGBT
Encaje a Presión
Tecnología IGBT
IGBT 4
Rango de Producto
-
Corriente del Colector Continua
35
Disipación de Potencia
215
Diseño de Transistor
Module
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto