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IGLD60R190D1AUMA3
Transistor de nitruro de galio (GaN), 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGLD60R190D1AUMA3
No. Parte Newark58AJ2274
Rango de ProductoCoolGaN
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19ohm
Carga de Compuerta Típica3.2nC
Diseño de TransistorLSON
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Núm. de Contactos8Pines
Rango de ProductoCoolGaN
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.
0
Carga de Compuerta Típica
3.2nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
CoolGaN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19ohm
Diseño de Transistor
LSON
Núm. de Contactos
8Pines
Calificación
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto