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IGLD60R190D1AUMA3
Transistor de nitruro de galio (GaN), 600 V, 10 A, 0.19 ohm, 3.2 nC, LSON, Montaje Superficial
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGLD60R190D1AUMA3Copiar
No. Parte Newark58AJ2274
Rango de ProductoCoolGaN
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark58AJ2274
Rango de ProductoCoolGaN
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id10
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.19
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.0
Carga de Compuerta Típica3.2
Diseño de TransistorLSON
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines8Pines
Rango de ProductoCoolGaN
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.19
Carga de Compuerta Típica
3.2
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
CoolGaN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Intensidad Drenador Continua Id
10
Resistencia Encendida Rds (activada) Máx.
0
Diseño de Transistor
LSON
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto