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IGT60R190D1ATMA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGT60R190D1ATMA1
No. Parte Newark78AK6124
Rango de ProductoColGaN Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGT60R190D1ATMA1
No. Parte Newark78AK6124
Rango de ProductoColGaN Series
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600V
Intensidad Drenador Continua Id12A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14ohm
Carga de Compuerta Típica3.2nC
Diseño de TransistorPG-HSOF-8-3
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Núm. de Contactos8Pines
Rango de ProductoColGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14ohm
Diseño de Transistor
PG-HSOF-8-3
Núm. de Contactos
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
12A
Carga de Compuerta Típica
3.2nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Rango de Producto
ColGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto