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IGT60R190D1ATMA1
Transistor de nitruro de galio (GaN), 600 V, 12 A, 0.14 ohm, 3.2 nC, PG-HSOF-8-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIGT60R190D1ATMA1Copiar
No. Parte Newark78AK6124
Rango de ProductoCoolGaN Series
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Información del producto
FabricanteINFINEON
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No. Parte Newark78AK6124
Rango de ProductoCoolGaN Series
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14
Carga de Compuerta Típica3.2
Diseño de TransistorPG-HSOF-8-3
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines8Pines
Rango de ProductoCoolGaN Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14
Diseño de Transistor
PG-HSOF-8-3
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
12
Carga de Compuerta Típica
3.2
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
CoolGaN Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto