Imprimir página
IMBG120R026M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 75 A, 1.2 kV, 0.0254 ohm, TO-263HV
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R026M2HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97AK2407RL
Cinta adhesiva97AK2407
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Su número de pieza
551 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $14.410 | $14.41 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $14.41 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $14.410 |
| 50+ | $10.070 |
| 100+ | $8.360 |
| 250+ | $8.310 |
| 500+ | $8.140 |
| 1000+ | $7.980 |
| 2500+ | $7.810 |
| 5000+ | $7.640 |
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG120R026M2HXTMA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante32 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)97AK2407RL
Cinta adhesiva97AK2407
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id75
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0254
Diseño de TransistorTO-263HV
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1
Disipación de Potencia335
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Mosfet 1200V G2
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
75
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0254
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-263HV
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
335
Rango de Producto
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto