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IMBG65R050M2HXTMA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 41 A, 650 V, 0.046 ohm, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R050M2HXTMA1Copiar
No. Parte Newark97AK4560
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
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580 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.670 |
| 10+ | $6.140 |
| 25+ | $5.750 |
| 50+ | $5.360 |
| 100+ | $4.960 |
| 250+ | $4.690 |
| 500+ | $4.410 |
| 1000+ | $3.900 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R050M2HXTMA1Copiar
No. Parte Newark97AK4560
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id41
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.046
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia172
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
41
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.046
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
172
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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