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IMBG65R060M2HXTMA1
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 34.9A, TO-263
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R060M2HXTMA1Copiar
No. Parte Newark22AM1430
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
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233 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $7.900 |
| 10+ | $5.330 |
| 25+ | $4.830 |
| 50+ | $4.350 |
| 100+ | $3.860 |
| 250+ | $3.760 |
| 500+ | $3.660 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMBG65R060M2HXTMA1Copiar
No. Parte Newark22AM1430
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id34.9A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.055ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6V
Disipación de Potencia148W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
34.9A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.055ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650V
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
148W
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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