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IMZA65R026M2HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 64 A, 650 V, 33 mohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA65R026M2HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark20AM0194
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
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Disponible para realizar pedido
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $13.100 |
| 10+ | $9.210 |
| 25+ | $8.810 |
| 50+ | $8.410 |
| 100+ | $8.000 |
| 250+ | $7.770 |
| 500+ | $7.540 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$13.10
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA65R026M2HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark20AM0194
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id64
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia227
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC G2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
64
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
227
Rango de Producto
CoolSiC G2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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