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IMZA65R030M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 53 A, 650 V, 30 mohm, TO-247
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IMZA65R030M1HXKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | 25AK0775 |
| Rango de Producto | CoolSiC Series |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 52 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $18.220 |
| 10+ | $16.190 |
| 25+ | $14.140 |
| 50+ | $12.110 |
| 100+ | $11.370 |
| 250+ | $10.760 |
| 500+ | $10.550 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$18.22
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Información del producto
| Fabricante | INFINEON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IMZA65R030M1HXKSA1Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | 25AK0775 |
| Rango de Producto | CoolSiC Series |
| Hoja de datos técnicos | |
| Configuración de Módulo MOSFET | Single |
| Transistor, Polaridad | 0 |
| Tipo de Canal | N Channel |
| Intensidad Drenador Continua Id | 53 |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 650 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 30 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| No. de Pines | 4Pines |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 18 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4.5 |
| Disipación de Potencia | 197 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | CoolSiC Series |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Especificaciones técnicas
| Configuración de Módulo MOSFET | Single |
|---|---|
| Tipo de Canal | N Channel |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 650 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0 |
| No. de Pines | 4Pines |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4.5 |
| Disipación de Potencia Pd | 0 |
| Rango de Producto | CoolSiC Series |
| Transistor, Polaridad | 0 |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 53 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 30 |
| Diseño de Transistor | TO-247 |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 18 |
| Disipación de Potencia | 197 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (25-Jun-2025) |
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (25-Jun-2025) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |