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IMZA75R140M1HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 16 A, 750 V, 0.129 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA75R140M1HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark97AK2421
Rango de ProductoCoolSiC Gen 1 Series
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203 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $8.460 |
| 10+ | $7.420 |
| 25+ | $6.390 |
| 50+ | $5.350 |
| 100+ | $5.010 |
| 250+ | $4.660 |
| 500+ | $4.570 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$8.46
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZA75R140M1HXKSA1Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark97AK2421
Rango de ProductoCoolSiC Gen 1 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id16
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.129
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.6
Disipación de Potencia86
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen 1 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.129
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.6
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
86
Rango de Producto
CoolSiC Gen 1 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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