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IMZC120R026M2HXKSA1
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 69 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZC120R026M2HXKSA1Copiar
No. Parte Newark20AM0200
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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| 10+ | $19.600 |
| 25+ | $17.280 |
| 50+ | $14.950 |
| 100+ | $14.190 |
| 480+ | $13.410 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIMZC120R026M2HXKSA1Copiar
No. Parte Newark20AM0200
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id69
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.1
Disipación de Potencia289
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoCoolSiC Gen 2 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
69
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.1
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
289
Rango de Producto
CoolSiC Gen 2 Series
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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