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IPA80R460CEXKSA2
MOSFET, N-CH, 800V, 10.8A, TO-220FP-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA80R460CEXKSA2
No. Parte Newark49AC0280
Rango de ProductoCoolMOS CE
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Hoja de datos técnicos
17 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $4.960 |
| 10+ | $2.770 |
| 100+ | $2.550 |
| 500+ | $2.190 |
| 1000+ | $2.110 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA80R460CEXKSA2
No. Parte Newark49AC0280
Rango de ProductoCoolMOS CE
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id10.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.39ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia34W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS CE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.39ohm
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CE
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
10.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
34W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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