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IPA80R650CEXKSA2
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 8 A, 0.56 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA80R650CEXKSA2
No. Parte Newark12AC9700
Rango de ProductoCoolMOS CE Series
Hoja de datos técnicos
55 En Stock
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| Cantidad | Precio en USD |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPA80R650CEXKSA2
No. Parte Newark12AC9700
Rango de ProductoCoolMOS CE Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.56
Diseño de TransistorTO-220FP
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia33
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS CE Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8
Diseño de Transistor
TO-220FP
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
33
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.56
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS CE Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPA80R650CEXKSA2
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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