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IPD33CN10NGATMA1
MOSFET, N CH, 100V, 27A, TO-252-3
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD33CN10NGATMA1
No. Parte Newark60R2706
También conocido comoIPD33CN10N G, SP001127812
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPD33CN10NGATMA1
No. Parte Newark60R2706
También conocido comoIPD33CN10N G, SP001127812
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id27
Resistencia de Activación Rds(on)0.025ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd58W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia58
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
27
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
58W
Disipación de Potencia
58
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.025ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IPD33CN10NGATMA1
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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