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IPLK80R1K2P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 800V, 4.5A, THINPAK 5X6 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPLK80R1K2P7ATMA1Copiar
No. Parte Newark25AK0795
Rango de ProductoCoolMOS P7 Series
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPLK80R1K2P7ATMA1Copiar
No. Parte Newark25AK0795
Rango de ProductoCoolMOS P7 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800V
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorThinPAK 5x6
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia43W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoCoolMOS P7 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
ThinPAK 5x6
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
CoolMOS P7 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
Disipación de Potencia
43W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto