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IPP60R099C7XKSA1
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 22 A, 0.099 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R099C7XKSA1
No. Parte Newark13AC9081
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIPP60R099C7XKSA1
No. Parte Newark13AC9081
Rango de ProductoCoolMOS C7
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id22
Resistencia de Activación Rds(on)0.085ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.099ohm
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.5
Disipación de Potencia110
Disipación de Potencia Pd110W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoCoolMOS C7
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Transistor de potencia CoolMOS™ C7 de 600V, una tecnología revolucionaria para MOSFET de potencia de alto voltaje. Diseñado de acuerdo con el principio de superunión (SJ) adecuado para su uso en etapas PFC y etapas PWM (TTF, LLC) para SMPS de alta potencia/rendimiento, p. informática, servidor, telecomunicaciones, UPS y solar.
- Adecuado para conmutación dura y suave (PFC y LLC de alto rendimiento)
- Aumento de la robustez del MOSFET dv/dt a 120 V/ns
- Mayor eficiencia gracias al mejor FOMRDS de su clase (activado) *Eoss y RDS (activado) *Qg
- El mejor en su clase RDS (on)/paquete
- Calificado para aplicaciones de grado industrial según JEDEC (J-STD20 y JESD22)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.085ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
110
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
CoolMOS C7
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
22
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.099ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.5
Disipación de Potencia Pd
110W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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