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IRF1010EZPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 75 A, 0.0085 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1010EZPBF
No. Parte Newark63J7168
También conocido comoSP001571244
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF1010EZPBF
No. Parte Newark63J7168
También conocido comoSP001571244
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id84A
Resistencia de Activación Rds(on)0.0085ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0085ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd140W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRF1010EZPBF es un HEXFET® N-canal Power MOSFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr extremadamente baja resistencia de encendido por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura operativa de unión de 175°C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada. Estas características se combinan para hacer de este diseño un dispositivo extremadamente eficiente y confiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.
- Tecnología de proceso avanzada
- Clasificación dv/dt dinámica
- Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0085ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
84A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0085ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
140W
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF1010EZPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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