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IRF60B217
MOSFET, N-CH, 60V, 60A, TO-220AB
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF60B217Copiar
No. Parte Newark12AC9751
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF60B217Copiar
No. Parte Newark12AC9751
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id60A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7300µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.7V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia83W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoStrongIRFET, HEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7300µohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
StrongIRFET, HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
60A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.7V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto