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IRF7341GTRPBF
MOSFET, DOBLE CANAL N, 55V, 5.1A, SOIC-8
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7341GTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5375
Re-reeling (Rollos a medida)49AC0327RL
Cinta adhesiva49AC0327
Rango de ProductoHEXFET Series
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2,290 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 1 | $0.719 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.72 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.590 |
| 50+ | $1.660 |
| 100+ | $1.130 |
| 250+ | $1.020 |
| 500+ | $0.905 |
| 1000+ | $0.832 |
| 2500+ | $0.824 |
| 5000+ | $0.807 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.719 |
| 12000+ | $0.699 |
| 20000+ | $0.677 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7341GTRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5375
Re-reeling (Rollos a medida)49AC0327RL
Cinta adhesiva49AC0327
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N55
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P55
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.1
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.1
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.043
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.043
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.7
Disipación de Potencia de Canal P1.7
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
55
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.1
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.043
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.7
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
55
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.1
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.043
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
1.7
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto