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IRF7351TRPBF
MOSFET, DOBLE CANAL N, 60V, 8A, SOIC-8
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7351TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5376
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9191RL
Cinta adhesiva13AC9191
Rango de ProductoHEXFET Series
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.547 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.74 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $2.360 |
| 50+ | $1.510 |
| 100+ | $1.010 |
| 250+ | $0.907 |
| 500+ | $0.801 |
| 1000+ | $0.734 |
| 2500+ | $0.676 |
| 5000+ | $0.663 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.547 |
| 8000+ | $0.529 |
| 16000+ | $0.510 |
| 24000+ | $0.506 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7351TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5376
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9191RL
Cinta adhesiva13AC9191
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N8
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0137
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.0137
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2
Disipación de Potencia de Canal P2
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.0137
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
8
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0137
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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US ECCN:Unknown
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Conforme a RoHS:Sí
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Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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