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IRF7389TRPBF
MOSFET, CAN N & P, 30V, 7.3A, SOIC-8
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7389TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5377
Re-reeling (Rollos a medida)40M7950RL
Cinta adhesiva40M7950
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423 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.364 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.560 |
| 50+ | $0.982 |
| 100+ | $0.652 |
| 250+ | $0.582 |
| 500+ | $0.511 |
| 1000+ | $0.465 |
| 2500+ | $0.431 |
| 5000+ | $0.403 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.364 |
| 12000+ | $0.324 |
| 20000+ | $0.318 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRF7389TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5377
Re-reeling (Rollos a medida)40M7950RL
Cinta adhesiva40M7950
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N7.3
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P7.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.023
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.023
Diseño de TransistorSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N2.5
Disipación de Potencia de Canal P2.5
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
7.3
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.023
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
2.5
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
7.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.023
Diseño de Transistor
SOIC
Disipación de Potencia de Canal N
2.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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