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IRFB4020PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 18 A, 0.1 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4020PBF
No. Parte Newark61M6831
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.1
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.9
Disipación de Potencia100
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.1
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.9
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
100
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
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EU ECCN:Unknown
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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