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IRFB4227PBF
MOSFET, 200V, 65A, TO-220AB
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4227PBF
No. Parte Newark66K6432
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
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| 100+ | $1.990 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFB4227PBF
No. Parte Newark66K6432
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id65
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.0197ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Disipación de Potencia Pd330W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia330
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRFB4227PBF es un conmutador PDP MOSFET de potencia HEXFET® canal N sencillo de 200 V diseñado para sostener, recuperar energía y pasar aplicaciones de conmutador a paneles de pantalla de plasma. Mediante la adaptación de las últimas técnicas, consigue una baja resistencia por área de silicio y una clasificación de EPULSE.
- Temperatura de funcionamiento de 175°C
- Baja QG para una respuesta rápida
- Gran capacidad de corriente pico repetitiva para un funcionamiento confiable
- Breve caída y tiempos de subida para la conmutación rápida
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Disipación de Potencia Pd
330W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
65
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0197ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
330
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
6 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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