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IRFR4105TRPBF
MOSFET, N-CH, 55V, 27A, TO-252AA
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FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR4105TRPBF
No. Parte Newark13AC9139
Rango de ProductoHEXFET Series
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.840 |
| 10+ | $1.220 |
| 25+ | $1.090 |
| 50+ | $0.966 |
| 100+ | $0.844 |
| 250+ | $0.767 |
| 500+ | $0.688 |
| 1000+ | $0.637 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRFR4105TRPBF
No. Parte Newark13AC9139
Rango de ProductoHEXFET Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55
Intensidad Drenador Continua Id27
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.045
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia68
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
27
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.045
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
68
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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