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IRLHS6242TRPBF
MOSFET,N CH,DIODE,20V,10A,PQFN22
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLHS6242TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5405
Re-reeling (Rollos a medida)99AC3987RL
Cinta adhesiva99AC3987
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.197 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.99 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.831 |
| 50+ | $0.517 |
| 100+ | $0.333 |
| 250+ | $0.294 |
| 500+ | $0.253 |
| 1000+ | $0.228 |
| 2500+ | $0.207 |
| 5000+ | $0.202 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.197 |
| 8000+ | $0.189 |
| 16000+ | $0.181 |
| 24000+ | $0.171 |
| 40000+ | $0.160 |
Si desea una menor cantidad, puede seleccionar otro tipo de embalaje
nota de línea
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLHS6242TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5405
Re-reeling (Rollos a medida)99AC3987RL
Cinta adhesiva99AC3987
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id22A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0117ohm
Diseño de TransistorDFN2020
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800mV
Disipación de Potencia9.6W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
22A
Diseño de Transistor
DFN2020
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
9.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0117ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800mV
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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