Imprimir página
IRLML2060TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 1.2 A, 0.48 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML2060TRPBF
No. Parte Newark65R4984
También conocido comoSP001578644
Hoja de datos técnicos
16,478 En Stock
¿Necesita más?
1266 Entrega en 1-3 días hábiles(US stock)
15212 Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Pedido antes de las 9 p.m.
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.496 |
| 10+ | $0.288 |
| 25+ | $0.259 |
| 50+ | $0.230 |
| 100+ | $0.201 |
| 250+ | $0.178 |
| 500+ | $0.153 |
| 1000+ | $0.139 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.50
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLML2060TRPBF
No. Parte Newark65R4984
También conocido comoSP001578644
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.48ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.356ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd3.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5
Disipación de Potencia3.6
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El IRLML2060TRPBF es un MOSFET de potencia HEXFET® de canal N con menores pérdidas de conmutación y mayor confiabilidad. Compatible con las técnicas existentes de montaje en superficie.
- Esquema estándar de la industria
- MSL1, calificación del consumidor
- Amigable con el medio ambiente
- Mayor fiabilidad
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.48ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
3.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.356ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
3.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos relacionados
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto