Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR4132TRPBFCopiar
No. Parte Newark86AK5424
Rango de ProductoHEXFET Series
Su número de pieza
No está disponible
Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR4132TRPBFCopiar
No. Parte Newark86AK5424
Rango de ProductoHEXFET Series
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id78A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2500µohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.35V
Disipación de Potencia140W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
78A
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
140W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2500µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.35V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
