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IRLR9343TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
613 En Stock
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.810 | $1.81 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.81 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.810 |
| 10+ | $1.200 |
| 25+ | $1.090 |
| 50+ | $0.960 |
| 100+ | $0.843 |
| 250+ | $0.768 |
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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLR9343TRPBF
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)13AC9248
Cinta adhesiva13AC9248
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds55V
Intensidad Drenador Continua Id20A
Resistencia de Activación Rds(on)0.093ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.105ohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia Pd79W
Disipación de Potencia79W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- El audio digital HEXFET® está diseñado específicamente para aplicaciones de amplificador de audio de clase D
- Tecnología de proceso avanzada
- RDSON bajo para mejorar la eficiencia
- Qg y Qsw bajos para una mejor THD y una mayor eficiencia
- Qrr bajo para una mejor THD y una EMI más baja
- Temperatura operativa de la unión de 175°C para mayor robustez
- Capacidad para soportar avalanchas repetitivas para mayor confiabilidad y robustez
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
55V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.093ohm
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
79W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
20A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.105ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia
79W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRLR9343TRPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto