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Información del producto
FabricanteINFINEON
No. Parte FabricanteIRLS3813TRLPBFCopiar
No. Parte Newark34AC1795
Rango de ProductoHEXFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id160A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1950µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.35V
Disipación de Potencia195W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoHEXFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1950µohm
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
195W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
HEXFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
160A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.35V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto